Кристал KTP HGTR (високий анти-сірий трек), розроблений гідротермальним методом, долає поширене явище електрохромізму потоку КТП, таким чином, має багато переваг, таких як високий електричний опір, низька втрата вставки, низька напруга напівхвилі, високе пошкодження лазера поріг і широка смуга передачі.

Клітини KTP Pockels, виготовлені кристалом HGTR-KTP, в основному використовуються в імпульсних лазерах із вузькою шириною імпульсу та високою частотою повторення. Даючи переваги високого коефіцієнта вимирання, низької напівхвильової напруги та відсутності п’єзоелектричного дзвінка під впливом високої частоти повторень, клітини KTP Pockels широко застосовуються в лазерному діапазоні, лазерному лідері, медичних лазерах та промислових лазерах тощо.

WISOPTIC надає технічну консультацію, дизайнерське обслуговування, індивідуальний тестовий зразок та швидку доставку стандартних продуктів комірок KTP Pockels.

Зверніться до нас, щоб отримати найкраще рішення для вашого застосування клітини KTP Pockels.

WISOPTIC Переваги осередку Pockels KTP

• Широка оптична пропускна здатність (0,5-3 мкм)

• Низькі втрати при введенні

• Низька напівхвильова напруга

• Низька робоча напруга

• Високий коефіцієнт вимирання

• Дуже високий поріг пошкодження лазера

• Не має п'єзоелектричного дзвінка

• Точне перемикання у високошвидкісних лазерних частотах із надзвичайно швидкими драйверами напруги

• Термокомпенсована конструкція для роботи у великих температурних межах

• Компактна конструкція, дуже проста в установці та налаштуваннях

• Якісний кристал KTP з високою стійкістю до навколишнього середовища та тривалим терміном служби

WISOPTIC Технічні дані осередку Pockels KTP

Розміри однієї з пар KTP (мм)	Х-виріз		Y-виріз		Електричний опір (Ом · см)
	HWV @ 1064nm (V)	Коефіцієнт вимирання @ 633 нм (дБ)	HWV @ 1064nm (V)	Коефіцієнт вимирання @ 633 нм (дБ)
3 × 3 × 10	1200	> 20	1000	> 20	> 1011
4 × 4 × 10	1600 рік	> 20	1300	> 20	> 1011
5 × 5 × 10	2000 рік	> 20	1600 рік	> 20	> 1011
6 × 6 × 10	2300	> 20	1900 рік	> 20	> 1011
7 × 7 × 10	2700	> 20	2200	> 20	> 1011
8 × 8 × 10	3100	> 20	2500	> 20	> 1011
9 × 9 × 10	3500	> 20	2800	> 20	> 1011
Поріг пошкодження: > 600 МВт / см2 для імпульсів 10 нс @ 1064 нм (покриття AR)